Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3972
- Producentens varenummer:
- IRFH8303TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 26,93
(ekskl. moms)
Kr. 33,662
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 424 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,465 | Kr. 26,93 |
| 20 - 48 | Kr. 12,12 | Kr. 24,24 |
| 50 - 98 | Kr. 11,295 | Kr. 22,59 |
| 100 - 198 | Kr. 10,62 | Kr. 21,24 |
| 200 + | Kr. 9,875 | Kr. 19,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3972
- Producentens varenummer:
- IRFH8303TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 280 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -5.1 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 22 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET