Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 26,93

(ekskl. moms)

Kr. 33,662

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.998 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 13,465Kr. 26,93
20 - 48Kr. 12,12Kr. 24,24
50 - 98Kr. 11,295Kr. 22,59
100 - 198Kr. 10,62Kr. 21,24
200 +Kr. 9,875Kr. 19,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3972
Producentens varenummer:
IRFH8303TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

280A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

0.9mm

Bredde

5 mm

Længde

6mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Øget effekttæthed

Relaterede links