Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 257-9388
- Producentens varenummer:
- IRFHM830TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 10.324,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.904,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 2,581 | Kr. 10.324,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9388
- Producentens varenummer:
- IRFHM830TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFHM-serien er 30 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 3,3 x 3,3-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Potentielt alternativ til hus med høj RDS (til) Super SO 8
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET Nej IRFHM830TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 21 A 25 V PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 25 V PQFN, HEXFET Nej IRFHS8242TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET Nej IRLHM630TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET Nej IRLHS6376TRPBF
- Infineon Type N-Kanal -5.1 A -30 V PQFN, HEXFET Nej