Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9388
- Producentens varenummer:
- IRFHM830TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (4000 enheder, på en rulle med 4000)*
Kr. 10.112,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.640,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 2,528 | Kr. 10.112,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9388
- Producentens varenummer:
- IRFHM830TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFHM-serien er 30 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 3,3 x 3,3-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Potentielt alternativ til hus med høj RDS (til) Super SO 8
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 21 A 25 V PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -21 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal -5.1 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 280 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V PQFN, HEXFET