Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET Nej IRFHM830TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 65,97

(ekskl. moms)

Kr. 82,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,597Kr. 65,97
100 - 240Kr. 6,268Kr. 62,68
250 - 490Kr. 6,014Kr. 60,14
500 - 990Kr. 5,737Kr. 57,37
1000 +Kr. 5,341Kr. 53,41

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-9389
Producentens varenummer:
IRFHM830TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Hulmontering

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Effektafsættelse maks. Pd

37W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRFHM-serien er 30 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 3,3 x 3,3-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Hus til overflademontering i industristandard

Potentielt alternativ til hus med høj RDS (til) Super SO 8

Relaterede links