Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 257-5535
- Producentens varenummer:
- IRFHS8242TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 7.268,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.084,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | Kr. 1,817 | Kr. 7.268,00 |
| 8000 + | Kr. 1,599 | Kr. 6.396,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5535
- Producentens varenummer:
- IRFHS8242TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Lav RDSon (< 58 m)
Lav termisk modstand til printkort (<12 °C/W)
100 % Rg-testet
Lavprofil (<09 mm)
Benforbindelse iht. industristandard
Kompatibel med eksisterende overflademonteringsteknikker
I overensstemmelse med RoHS indeholder intet bly, ingen bromid og ingen halogener på miljøet
MSL1, industriel kvalifikation
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 8 DFN2020, HEXFET IRFHS8242TRPBF
- Infineon N-Kanal 2 DFN2020, HEXFET IRFHS9351TRPBF
- Infineon N-Kanal 3 DFN2020, HEXFET IRLHS6376TRPBF
- Infineon N-Kanal 18 DFN2020, HEXFET IRL60HS118
- Infineon N-Kanal 22 A 20 V HEXFET IRLHS6242TRPBF
- Infineon N-Kanal 3 DFN2020, HEXFET IRLHS6276TRPBF
- Infineon N-Kanal 11 A 100 V HEXFET IRL100HS121
- Infineon N-Kanal 12 6 ben HEXFET IRL80HS120
