Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 62,225

(ekskl. moms)

Kr. 77,775

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.825 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 2,489Kr. 62,23
125 - 225Kr. 2,364Kr. 59,10
250 - 600Kr. 2,115Kr. 52,88
625 - 1225Kr. 1,744Kr. 43,60
1250 +Kr. 1,119Kr. 27,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-5793
Elfa Distrelec varenummer:
304-40-531
Producentens varenummer:
IRFHS8242TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

13mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.3nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Bredde

2 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

2mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Lav RDSon (< 58 m)

Lav termisk modstand til printkort (<12 °C/W)

100 % Rg-testet

Lavprofil (<09 mm)

Benforbindelse iht. industristandard

Kompatibel med eksisterende overflademonteringsteknikker

I overensstemmelse med RoHS indeholder intet bly, ingen bromid og ingen halogener på miljøet

MSL1, industriel kvalifikation

Relaterede links