Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET Nej IRFHS8242TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-5793
- Producentens varenummer:
- IRFHS8242TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 89,05
(ekskl. moms)
Kr. 111,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 6.825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 3,562 | Kr. 89,05 |
| 125 - 225 | Kr. 3,384 | Kr. 84,60 |
| 250 - 600 | Kr. 3,028 | Kr. 75,70 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,495 | Kr. 62,38 |
| 1250 + | Kr. 1,604 | Kr. 40,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5793
- Producentens varenummer:
- IRFHS8242TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bredde | 2 mm | |
| Længde | 2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-40-531 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Bredde 2 mm | ||
Længde 2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-40-531 | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Lav RDSon (< 58 m)
Lav termisk modstand til printkort (<12 °C/W)
100 % Rg-testet
Lavprofil (<09 mm)
Benforbindelse iht. industristandard
Kompatibel med eksisterende overflademonteringsteknikker
I overensstemmelse med RoHS indeholder intet bly, ingen bromid og ingen halogener på miljøet
MSL1, industriel kvalifikation
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 21 A 25 V PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET Nej IRFHM830TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH5250TRPBF
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V PQFN 5 x 6, HEXFET IRFH5250DTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 25 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 25 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH7932TRPBF