Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5793
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-531
- Producentens varenummer:
- IRFHS8242TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 62,225
(ekskl. moms)
Kr. 77,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.825 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 2,489 | Kr. 62,23 |
| 125 - 225 | Kr. 2,364 | Kr. 59,10 |
| 250 - 600 | Kr. 2,115 | Kr. 52,88 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,744 | Kr. 43,60 |
| 1250 + | Kr. 1,119 | Kr. 27,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5793
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-531
- Producentens varenummer:
- IRFHS8242TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Lav RDSon (< 58 m)
Lav termisk modstand til printkort (<12 °C/W)
100 % Rg-testet
Lavprofil (<09 mm)
Benforbindelse iht. industristandard
Kompatibel med eksisterende overflademonteringsteknikker
I overensstemmelse med RoHS indeholder intet bly, ingen bromid og ingen halogener på miljøet
MSL1, industriel kvalifikation
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 21 A 25 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -21 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 22 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET