Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 80 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2639
- Producentens varenummer:
- IRL80HS120
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 9.084,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.356,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 2,271 | Kr. 9.084,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2639
- Producentens varenummer:
- IRL80HS120
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 42mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 11.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 42mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 11.5W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon fås i tre forskellige spændingsklasser (60 V, 80 V og 100 V), Infineons nye MOSFET'er med logikniveau er særdeles velegnede til trådløs opladning, telekommunikation og adapter. PQFN 2x2 hus er specielt velegnet til højhastigheds switching og formfaktor kritiske anvendelser. Det muliggør højere effekttæthed og forbedret effektivitet samt betydelig pladsbesparelse.
Laveste FOM (R DS(til) x Q g/gd)
Optimeret Q g, C oss og Q rr til hurtig omskiftning
Kompatibilitet med logikniveau
Lille PQFN 2x2 mm hus
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 80 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 22 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET