Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 80 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 9.084,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.356,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 8.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 2,271Kr. 9.084,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2639
Producentens varenummer:
IRL80HS120
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12.5A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

42mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

11.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

2.1mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.1mm

Bredde

1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon fås i tre forskellige spændingsklasser (60 V, 80 V og 100 V), Infineons nye MOSFET'er med logikniveau er særdeles velegnede til trådløs opladning, telekommunikation og adapter. PQFN 2x2 hus er specielt velegnet til højhastigheds switching og formfaktor kritiske anvendelser. Det muliggør højere effekttæthed og forbedret effektivitet samt betydelig pladsbesparelse.

Laveste FOM (R DS(til) x Q g/gd)

Optimeret Q g, C oss og Q rr til hurtig omskiftning

Kompatibilitet med logikniveau

Lille PQFN 2x2 mm hus

Relaterede links