Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET Nej IRFH8311TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 102,615

(ekskl. moms)

Kr. 128,265

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.425 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 6,841Kr. 102,62
75 - 135Kr. 6,507Kr. 97,61
150 - 360Kr. 6,358Kr. 95,37
375 - 735Kr. 5,954Kr. 89,31
750 +Kr. 5,54Kr. 83,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4747
Producentens varenummer:
IRFH8311TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.15 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.17mm

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links