Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 89,835

(ekskl. moms)

Kr. 112,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.425 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 5,989Kr. 89,84
75 - 135Kr. 5,695Kr. 85,43
150 - 360Kr. 5,57Kr. 83,55
375 - 735Kr. 5,211Kr. 78,17
750 +Kr. 4,852Kr. 72,78

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4747
Producentens varenummer:
IRFH8311TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

HEXFET

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

6.15 mm

Højde

1.17mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links