Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4747
- Producentens varenummer:
- IRFH8311TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 89,835
(ekskl. moms)
Kr. 112,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.425 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 5,989 | Kr. 89,84 |
| 75 - 135 | Kr. 5,695 | Kr. 85,43 |
| 150 - 360 | Kr. 5,57 | Kr. 83,55 |
| 375 - 735 | Kr. 5,211 | Kr. 78,17 |
| 750 + | Kr. 4,852 | Kr. 72,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4747
- Producentens varenummer:
- IRFH8311TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.17mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.17mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDSON (<1,15 mΩ)
Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)
100 % RG testet
Lavprofil (<0,9 mm)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 80 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring PQFN, HEXFET