Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 14.504,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.128,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 16.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 3,626Kr. 14.504,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4744
Producentens varenummer:
IRFH5250TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

HEXFET

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

52nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.75 mm

Højde

0.9mm

Længde

6mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links