Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4744
- Producentens varenummer:
- IRFH5250TRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 222-4744
- Producentens varenummer:
- IRFH5250TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDSON (<1,15 mΩ)
Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)
100 % RG testet
Lavprofil (<0,9 mm)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 25 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET