Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
222-4744
Producentens varenummer:
IRFH5250TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

52nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

900μm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6mm

Bredde

4.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.