Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 94,25

(ekskl. moms)

Kr. 117,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 16.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 9,425Kr. 94,25
50 - 90Kr. 8,961Kr. 89,61
100 - 240Kr. 8,587Kr. 85,87
250 - 490Kr. 8,213Kr. 82,13
500 +Kr. 7,645Kr. 76,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4745
Producentens varenummer:
IRFH5250TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

52nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Bredde

4.75 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links