Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET Nej IRFH5250TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 101,70

(ekskl. moms)

Kr. 127,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 16.000 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,17Kr. 101,70
50 - 90Kr. 9,649Kr. 96,49
100 - 240Kr. 9,253Kr. 92,53
250 - 490Kr. 8,849Kr. 88,49
500 +Kr. 8,25Kr. 82,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4745
Producentens varenummer:
IRFH5250TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

52nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6mm

Bredde

4.75 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links