Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, 3 ben, TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA093N06N3GXKSA1

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-8110
Producentens varenummer:
IPA093N06N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

43 A

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

TO-220 FP

Serie

OptiMOS™ 3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

9,3 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

33 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Længde

10.65mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

36 nC ved 10 V

Bredde

4.85mm

Antal elementer per chip

1

Højde

16.15mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 60 til 80 V


OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.

Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links