Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18.5 A 550 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE Nej
- RS-varenummer:
- 165-8158
- Producentens varenummer:
- IPP50R190CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 465,20
(ekskl. moms)
Kr. 581,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,304 | Kr. 465,20 |
| 100 - 200 | Kr. 8,094 | Kr. 404,70 |
| 250 - 450 | Kr. 7,63 | Kr. 381,50 |
| 500 - 950 | Kr. 7,071 | Kr. 353,55 |
| 1000 + | Kr. 6,606 | Kr. 330,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8158
- Producentens varenummer:
- IPP50R190CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 550V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 127W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 550V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 127W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 3 ben CoolMOS™ CE IPP50R190CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 10 3 ben CoolMOS™ CE IPP50R380CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 13 A 550 V TO-220, CoolMOS™ CE IPA50R280CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 14 3 ben CoolMOS™ CE IPP50R380CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPA50R800CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 9 A 550 V SOT-223, CoolMOS™ CE IPN50R650CEATMA1
- Infineon N-Kanal 4 3 ben CoolMOS™ CE IPN50R1K4CEATMA1
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ CE IPN50R950CEATMA1
