Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE Nej
- RS-varenummer:
- 218-2991
- Producentens varenummer:
- IPA50R800CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 98,65
(ekskl. moms)
Kr. 123,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 1,973 | Kr. 98,65 |
| 100 - 200 | Kr. 1,921 | Kr. 96,05 |
| 250 - 450 | Kr. 1,87 | Kr. 93,50 |
| 500 - 1200 | Kr. 1,822 | Kr. 91,10 |
| 1250 + | Kr. 1,777 | Kr. 88,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2991
- Producentens varenummer:
- IPA50R800CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 550V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 29.75mm | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Længde | 16.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 550V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 29.75mm | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Længde 16.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Denne MOSFET bruges i PFC-trin, hårdt skiftende PWM-trin og resonante omkoblingstrin, f.eks. PC Silverbox, adapter, LCD- og PDP TV og indendørs belysning.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPA50R800CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ IPAN50R500CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 10 3 ben CoolMOS™ CE IPP50R380CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 13 A 550 V TO-220, CoolMOS™ CE IPA50R280CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 18 3 ben CoolMOS™ CE IPP50R190CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 14 3 ben CoolMOS™ CE IPP50R380CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPAW70R950CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ CE IPA50R950CEXKSA2
