Infineon N-Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 218-2992
- Producentens varenummer:
- IPA50R800CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, i en pakke med 25)*
Kr. 105,48
(ekskl. moms)
Kr. 131,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 375 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 4,219 | Kr. 105,48 |
| 125 - 225 | Kr. 3,291 | Kr. 82,28 |
| 250 - 600 | Kr. 3,082 | Kr. 77,05 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,869 | Kr. 71,73 |
| 1250 + | Kr. 2,657 | Kr. 66,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2992
- Producentens varenummer:
- IPA50R800CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 550V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 830mV | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.15mm | |
| Højde | 29.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 550V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 830mV | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.15mm | ||
Højde 29.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Denne MOSFET bruges i PFC-trin, hårdt skiftende PWM-trin og resonante omkoblingstrin, f.eks. PC Silverbox, adapter, LCD- og PDP TV og indendørs belysning.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 7.6 A 550 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 18.5 A 550 V Forbedring TO-220, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 13 A 550 V Forbedring TO-220, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 6.6 A 500 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 4.8 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE