Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 235,15

(ekskl. moms)

Kr. 293,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 4,703Kr. 235,15
100 - 200Kr. 3,67Kr. 183,50
250 - 450Kr. 3,435Kr. 171,75
500 - 1200Kr. 3,198Kr. 159,90
1250 +Kr. 2,964Kr. 148,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2493
Producentens varenummer:
IPAN50R500CEXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.6A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.7nC

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Effektafsættelse maks. Pd

28W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

29.85mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 500V CoolMOS™ CE er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme applikationer på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende superjunction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold med lavere omkostninger på markedet.

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

Robust diode i et højt hus

Reduceret returladning (Q rr)

Reduceret gate-opladning (Q g)

Relaterede links