Infineon N-Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 217-2486
- Producentens varenummer:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 135,10
(ekskl. moms)
Kr. 168,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 2,702 | Kr. 135,10 |
| 100 - 200 | Kr. 2,628 | Kr. 131,40 |
| 250 - 450 | Kr. 2,56 | Kr. 128,00 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,494 | Kr. 124,70 |
| 1250 + | Kr. 2,431 | Kr. 121,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2486
- Producentens varenummer:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Højde | 29.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.9mm | ||
Højde 29.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS CE er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme applikationer på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Superjunction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold med lavere omkostninger på markedet.
Ekstremt lavt tab pga. meget lave FOMRds på * QG og Eoss
Meget stor kommutationsrobusthed
Let at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Kvalificeret til standardmodeller
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 7.2 A 650 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 5.2 A 650 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 9 A 650 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 15.1 A 650 V N TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 19 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS