Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 217-2487
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-405
- Producentens varenummer:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 49,62
(ekskl. moms)
Kr. 62,02
(inkl. moms)
Tilføj 280 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 640 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 2,481 | Kr. 49,62 |
| 100 - 180 | Kr. 1,938 | Kr. 38,76 |
| 200 - 480 | Kr. 1,81 | Kr. 36,20 |
| 500 - 980 | Kr. 1,687 | Kr. 33,74 |
| 1000 + | Kr. 1,564 | Kr. 31,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2487
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-405
- Producentens varenummer:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 29.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Længde | 10.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 29.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Længde 10.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS CE er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme applikationer på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtig switching Superjunction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold med lavere omkostninger på markedet.
Ekstremt lavt tab pga. meget lave FOMRds på * QG og Eoss
Meget stor kommutationsrobusthed
Let at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Kvalificeret til standardmodeller
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 5.2 A 650 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V N TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 15.1 A 650 V N TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS