Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS Nej IPA65R1K5CEXKSA1
- RS-varenummer:
- 217-2490
- Producentens varenummer:
- IPA65R1K5CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 217-2490
- Producentens varenummer:
- IPA65R1K5CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Højde | 29.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Højde 29.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.
Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)
Optimeret integreret R g
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 5 3 ben CoolMOS™ IPA65R1K5CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 18 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ IPB60R040CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ IPA60R099P6XKSA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ IPA65R1K0CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 20 3 ben CoolMOS™ SPA20N60C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 9 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ IPA60R180C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA15N60C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 7 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ C7 IPA65R225C7XKSA1
