Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 217-2495
- Producentens varenummer:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 94,10
(ekskl. moms)
Kr. 117,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 380 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,705 | Kr. 94,10 |
| 100 - 180 | Kr. 4,47 | Kr. 89,40 |
| 200 - 480 | Kr. 4,283 | Kr. 85,66 |
| 500 - 980 | Kr. 4,092 | Kr. 81,84 |
| 1000 + | Kr. 3,811 | Kr. 76,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2495
- Producentens varenummer:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 29.85mm | |
| Længde | 16.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 29.85mm | ||
Længde 16.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500V CoolMOS™ CE er en prisoptimeret platform, der gør det muligt at målrette omkostningsfølsomme applikationer på forbruger- og belysningsmarkeder ved stadig at opfylde de højeste effektivitetsstandarder. Den nye serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende superjunction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold med lavere omkostninger på markedet.
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
Robust diode i et højt hus
Reduceret returladning (Q rr)
Reduceret gate-opladning (Q g)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 550 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.6 A 500 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 5.4 A 500 V Forbedring TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 37 A 500 V Forbedring TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.2 A 650 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 5.2 A 650 V N TO-220, CoolMOS