Infineon N-Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 218-3048
- Producentens varenummer:
- IPD50R500CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.170,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.712,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.500 enhed(er) afsendes fra 29. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,468 | Kr. 6.170,00 |
| 5000 + | Kr. 2,345 | Kr. 5.862,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3048
- Producentens varenummer:
- IPD50R500CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 850mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 850mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Denne serie giver alle fordele ved en hurtig switching Superjunction MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold med lavere omkostninger på markedet.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 7.6 A 550 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 4.8 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 2.2 A 500 V Forbedring TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 5.7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N-Kanal 9 A 500 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE