Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE Nej IPD50R1K4CEAUMA1
- RS-varenummer:
- 218-3047
- Producentens varenummer:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 168,25
(ekskl. moms)
Kr. 210,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 3,365 | Kr. 168,25 |
| 100 - 200 | Kr. 2,422 | Kr. 121,10 |
| 250 - 450 | Kr. 2,254 | Kr. 112,70 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,12 | Kr. 106,00 |
| 1250 + | Kr. 1,952 | Kr. 97,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3047
- Producentens varenummer:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Denne serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende superjunction MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold, der er på markedet, til en lavere pris.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R1K4CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R500CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 2 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R2K0CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ CE IPD60R1K0CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ CE IPD60R800CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 14 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R380CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 5 3 ben CoolMOS™ CE IPD80R1K0CEATMA1
- Infineon N-Kanal 3 3 ben CoolMOS™ CE IPD80R1K4CEATMA1
