Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 218-3046
- Producentens varenummer:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 3.590,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.487,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 1,436 | Kr. 3.590,00 |
| 5000 - 5000 | Kr. 1,364 | Kr. 3.410,00 |
| 7500 + | Kr. 1,278 | Kr. 3.195,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3046
- Producentens varenummer:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Denne serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende superjunction MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold, der er på markedet, til en lavere pris.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4.8 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 2.2 A 500 V Forbedring TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 4.8 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 550 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.6 A 500 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE