Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE Nej
- RS-varenummer:
- 218-3046
- Producentens varenummer:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 3.582,50
(ekskl. moms)
Kr. 4.477,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 1,433 | Kr. 3.582,50 |
| 5000 - 5000 | Kr. 1,361 | Kr. 3.402,50 |
| 7500 + | Kr. 1,275 | Kr. 3.187,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3046
- Producentens varenummer:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Denne serie giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende superjunction MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden og giver det bedste ydelsesforhold, der er på markedet, til en lavere pris.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R1K4CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R500CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 2 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R2K0CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ CE IPD60R1K0CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ CE IPD60R800CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 14 3 ben CoolMOS™ CE IPD50R380CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 5 3 ben CoolMOS™ CE IPD80R1K0CEATMA1
- Infineon N-Kanal 3 3 ben CoolMOS™ CE IPD80R1K4CEATMA1
