Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14.1 A 550 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 130-0897
- Producentens varenummer:
- IPD50R380CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 59,84
(ekskl. moms)
Kr. 74,80
(inkl. moms)
Tilføj 90 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 180 enhed(er) afsendes fra 25. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,984 | Kr. 59,84 |
| 50 - 490 | Kr. 5,70 | Kr. 57,00 |
| 500 - 990 | Kr. 4,114 | Kr. 41,14 |
| 1000 - 2490 | Kr. 3,411 | Kr. 34,11 |
| 2500 + | Kr. 3,329 | Kr. 33,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0897
- Producentens varenummer:
- IPD50R380CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 550V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24.8nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 98W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 550V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24.8nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 98W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.6 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 13 A 550 V Forbedring TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 18.5 A 550 V Forbedring TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 4.8 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 9 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.8 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 5.7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE
