DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, DMN3065LW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-8329
- Producentens varenummer:
- DMN3065LW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.776,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.220,00
(inkl. moms)
Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,592 | Kr. 1.776,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8329
- Producentens varenummer:
- DMN3065LW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN3065LW | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 85mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 770mW | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN3065LW | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 85mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 770mW | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 4 A 30 V Forbedring SC-70, DMN3065LW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring SC-70, DMG1012UW-7 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 70 mA 600 V Forbedring SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SC-70, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.6 A 30 V Forbedring SC-70, DMN3067LW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SC-70, DMN601WK AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SC-70, BSS123W AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 200 mA 50 V Forbedring SC-70, BSS138W AEC-Q101
