onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 8.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.737,50

(ekskl. moms)

Kr. 5.922,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,895Kr. 4.737,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-2594
Producentens varenummer:
FDS4685
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOIC

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links