onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.5 A 30 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.483,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.353,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 27.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,161Kr. 3.483,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-2973
Producentens varenummer:
FDC6561AN
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

152mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

960mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.3nC

Gennemgangsspænding Vf

0.78V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Højde

1mm

Længde

3mm

Bredde

1.7 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links