IXYS N-Kanal, MOSFET, 50 A 500 V, 3 ben, TIL-3P, HiperFET, Polar3 IXFQ50N50P3

RS-varenummer:: 168-4740
Producentens varenummer:: IXFQ50N50P3
Brand:: IXYS

IXYS N-Kanal, MOSFET, 50 A 500 V, 3 ben, TIL-3P, HiperFET, Polar3 IXFQ50N50P3

Pris pr. stk. Pr. stk. (i rør á 30)

Kr. 46,48

(ekskl. moms)

Kr. 58,10

(inkl. moms)

Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Enheder	Pr stk.	Per Tube**
30 +	Kr. 46,48	Kr. 1.394,40

RS-varenummer:: 168-4740
Producentens varenummer:: IXFQ50N50P3
Brand:: IXYS

IXFT50N50P3, IXFQ50N50P3, IXFH50N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	50 A
Drain source spænding maks.	500 V
Kapslingstype	TIL-3P
Serie	HiperFET, Polar3
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	125 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	5V
Effektafsættelse maks.	960 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-30 V, +30 V
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Transistormateriale	Si
Længde	15.8mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	85 nC ved 10 V
Bredde	4.9mm
Højde	20.3mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

IXYS N-Kanal, MOSFET, 50 A 500 V, 3 ben, TIL-3P, HiperFET, Polar3 IXFQ50N50P3

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien