IXYS N-Kanal, MOSFET, 112 A 500 V, 4 ben, SOT-227, HiperFET, Polar3 IXFN132N50P3

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
168-4757
Producentens varenummer:
IXFN132N50P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

112 A

Drain source spænding maks.

500 V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapslingstype

SOT-227

Monteringstype

Skruemontering

Benantal

4

Drain source modstand maks.

39 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

5V

Effektafsættelse maks.

1,5 kW

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Bredde

25.07mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

250 nC ved 10 V

Længde

38.23mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

9.6mm

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links