Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 128 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 168-6010
- Producentens varenummer:
- IRFS3307ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 8.401,60
(ekskl. moms)
Kr. 10.502,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 10,502 | Kr. 8.401,60 |
| 1600 + | Kr. 9,977 | Kr. 7.981,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6010
- Producentens varenummer:
- IRFS3307ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 128A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 128A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3307ZTRLPBF
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3307ZTRRPBF
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V HEXFET AUIRFR2407TRL
- Infineon N-Kanal 106 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3808STRLPBF
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1407STRLPBF
- Infineon N-Kanal 89 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF2807ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3207ZTRRPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF2907ZSTRLPBF
