Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 269 A 75 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3124
- Producentens varenummer:
- IRFS7730TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 148,55
(ekskl. moms)
Kr. 185,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.095 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 29,71 | Kr. 148,55 |
| 25 - 45 | Kr. 26,136 | Kr. 130,68 |
| 50 - 120 | Kr. 24,384 | Kr. 121,92 |
| 125 - 245 | Kr. 22,56 | Kr. 112,80 |
| 250 + | Kr. 21,094 | Kr. 105,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3124
- Producentens varenummer:
- IRFS7730TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 269A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 428nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.65mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 269A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 428nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.65mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal Power MOSFET. Integreret med hus af typen D2PAK 7-benet (TO-263 7-benet).
Blyfri, i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 269 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 183 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 246 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 128 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 106 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET