STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V, 3 ben, TO-220, FDmesh STP13NM60ND
- RS-varenummer:
- 168-7018
- Producentens varenummer:
- STP13NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 198,70
(ekskl. moms)
Kr. 248,40
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 3,974 | Kr. 198,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7018
- Producentens varenummer:
- STP13NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 11 A | |
| Drain source spænding maks. | 600 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Serie | FDmesh | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 380 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 109 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -25 V, +25 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 24,5 nC ved 10 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 11 A | ||
Drain source spænding maks. 600 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Serie FDmesh | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 380 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 109 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -25 V, +25 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 4.6mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 24,5 nC ved 10 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V TO-220, FDmesh STP13NM60ND
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics 1 Type N MOSFET 3 Ben FDmesh