Toshiba N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 ben, TO-220, TK TK20E60W,S1VX(S

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

20 A

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-220

Serie

TK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

155 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.7V

Effektafsættelse maks.

165 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

48 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Længde

10.16mm

Bredde

4.45mm

Antal elementer per chip

1

Højde

15.1mm