Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-varenummer:
- 827-6113
- Producentens varenummer:
- TK12E60W,S1VX(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 93,13
(ekskl. moms)
Kr. 116,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 20 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 18,626 | Kr. 93,13 |
| 25 - 45 | Kr. 14,93 | Kr. 74,65 |
| 50 - 120 | Kr. 13,614 | Kr. 68,07 |
| 125 - 245 | Kr. 12,476 | Kr. 62,38 |
| 250 + | Kr. 11,19 | Kr. 55,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-6113
- Producentens varenummer:
- TK12E60W,S1VX(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | TK | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.1mm | |
| Længde | 10.16mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.45 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie TK | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.1mm | ||
Længde 10.16mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.45 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-220S1VX(S
- Toshiba N-Kanal 20 A 600 V TO-220S1VX(S
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220S1VX(S
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 9.7 A 600 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
