Taiwan Semiconductor P-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V, 6 ben, SOT-26 TSM3457CX6 RFG

Brand

Taiwan Semiconductor

Kanaltype

P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

5 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

SOT-26

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Drain source modstand maks.

100 m Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

2 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Bredde

1.7mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

9,52 nC ved 10 V

Transistormateriale

Si

Længde

3.1mm

Højde

1.1mm

Driftstemperatur min.

-55 °C