Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V, 3 ben, SOT-23 TSM2310CX RFG

Brand

Taiwan Semiconductor

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

4 A

Drain source spænding maks.

20 V

Kapslingstype

SOT-23

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

100 m Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

1.2V

Effektafsættelse maks.

1,25 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-12 V, +12 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

1.7mm

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

8,6 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

3.1mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.2mm