Infineon N-Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC500N20NS3 G
- RS-varenummer:
- 170-2351
- Producentens varenummer:
- BSC500N20NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 116,84
(ekskl. moms)
Kr. 146,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 510 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 11,684 | Kr. 116,84 |
| 50 - 90 | Kr. 9,35 | Kr. 93,50 |
| 100 - 240 | Kr. 8,782 | Kr. 87,82 |
| 250 - 490 | Kr. 8,176 | Kr. 81,76 |
| 500 + | Kr. 7,60 | Kr. 76,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2351
- Producentens varenummer:
- BSC500N20NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | BSC500N20NS3 G | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie BSC500N20NS3 G | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Bredde 6.35mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons 200V OptiMOS™-produkter er førende benchmark-teknologier, velegnede til synkron ensretning i 48 V-systems, DC-DC-konvertere, nødstrømsforsyninger (UPS) og invertere til DC-motorstyringer
Industriens laveste R DS(on)
Laveste Q g og Q gd
Halogenfri
Fordele:
Højeste effektivitet
Højeste effekttæthed
Laveste strømforbrug på kortplads
Minimal enhedsparallelisering nødvendig
Systemomkostningsforbedring
Miljøvenlig
Produkter der er lette at designe i
Anvendelsesområder:
Synkron ensretning for AC-DC SMPS
Motorstyring til 48 V 100-110 V systemer
Isolerede DC/DC-konvertere
Belysning til 110 V AC-netværk
HID-lamper
Class D audioforstærkere
Nødstrømsforsyninger (UPS)
LED-belysningsstrømforsyning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 24 A 200 V Forbedring TDSON, BSC500N20NS3 G
- Infineon N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V N IPL
- Infineon N-Kanal 11.3 A 200 V Forbedring TDSON, BSC12DN20NS3 G
- Infineon N-Kanal 85 A 40 V Forbedring TDSON, BSC050N04LS G
- Infineon N-Kanal 7 A 200 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 36 A 200 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 15.2 A 200 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3