Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 15.2 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3 Nej

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 22.770,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.460,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 4,554Kr. 22.770,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-7500
Producentens varenummer:
BSC900N20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15.2A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.35 mm

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.1mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links