Infineon N-Kanal, MOSFET, 15.2 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 178-7500
- Producentens varenummer:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 26.910,00
(ekskl. moms)
Kr. 33.640,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 5,382 | Kr. 26.910,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-7500
- Producentens varenummer:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.35mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.35mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 15.2 A 200 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 7 A 200 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 36 A 200 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 46 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 57 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS