Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 15.2 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3 Nej BSC900N20NS3GATMA1
- RS-varenummer:
- 906-4400
- Producentens varenummer:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 85,42
(ekskl. moms)
Kr. 106,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,542 | Kr. 85,42 |
| 50 - 90 | Kr. 8,123 | Kr. 81,23 |
| 100 - 240 | Kr. 7,779 | Kr. 77,79 |
| 250 - 490 | Kr. 7,435 | Kr. 74,35 |
| 500 + | Kr. 4,712 | Kr. 47,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-4400
- Producentens varenummer:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Bredde | 5.35 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Bredde 5.35 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 15 8 ben OptiMOS™ 3 BSC900N20NS3GATMA1
- Infineon TDSON-8, OptiMOS™ BSC014N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 7 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC22DN20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 36 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC320N20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 11 8 ben OptiMOS™ 3 BSC12DN20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 35 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC350N20NSFDATMA1
- Infineon N-Kanal 24 A 200 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC500N20NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC027N06LS5ATMA1
