Infineon N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC12DN20NS3 G

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-1952
Producentens varenummer:
BSC12DN20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.3A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

BSC12DN20NS3 G

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.35mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.35mm

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS-produkter er højtydende, førende benchmarkteknologier, perfekt egnet til synkron ensretning i 48 V systemer, DC-DC-konvertere, nødstrømsforsyninger (UPS) og invertere til DC-motordrev.

Højeste effektivitet

Højeste effekttæthed

Laveste strømforbrug på kortplads

Minimal enhedsparallelisering nødvendig

Systemomkostningsforbedring

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.