Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC12DN20NS3 G Nej BSC12DN20NS3GATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 84,36

(ekskl. moms)

Kr. 105,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 8,436Kr. 84,36
50 - 90Kr. 8,019Kr. 80,19
100 - 240Kr. 7,211Kr. 72,11
250 - 490Kr. 6,485Kr. 64,85
500 +Kr. 6,178Kr. 61,78

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-1952
Producentens varenummer:
BSC12DN20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.3A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TDSON

Serie

BSC12DN20NS3 G

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.35mm

Bredde

6.35 mm

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS-produkter er højtydende, førende benchmarkteknologier, perfekt egnet til synkron ensretning i 48 V systemer, DC-DC-konvertere, nødstrømsforsyninger (UPS) og invertere til DC-motordrev.

Højeste effektivitet

Højeste effekttæthed

Laveste strømforbrug på kortplads

Minimal enhedsparallelisering nødvendig

Systemomkostningsforbedring

Relaterede links