Infineon N-Kanal, MOSFET, 11,3 A 200 V, 8 ben, TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ12DN20NS3GATMA1

Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
165-6894
Producentens varenummer:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

11,3 A

Drain source spænding maks.

200 V

Kapslingstype

TSDSON

Serie

OptiMOS™ 3

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

125 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

50 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

3.4mm

Længde

3.4mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

6,5 nC ved 10 V

Højde

1.1mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links