Infineon N-Kanal, MOSFET, 11,3 A 200 V, 8 ben, TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ12DN20NS3GATMA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
165-6894
Producentens varenummer:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

11,3 A

Drain source spænding maks.

200 V

Kapslingstype

TSDSON

Serie

OptiMOS™ 3

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

125 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

50 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Længde

3.4mm

Antal elementer per chip

1

Bredde

3.4mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

6,5 nC ved 10 V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.1mm

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover



MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links