Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-2984
Producentens varenummer:
BSZ0589NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.4mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.1W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanal Power MOSFET. Denne MOSFET er optimeret til trådløs oplader med høj ydeevne.

Lav FOMSW til højfrekvent SMPS

Meget lav modstand ved ON-modstand RDS(ON) ved VGS = 4,5 V.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Relaterede links