Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS Nej BSZ099N06LS5ATMA1

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 86,18

(ekskl. moms)

Kr. 107,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.840 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 4,309Kr. 86,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-2986
Producentens varenummer:
BSZ099N06LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

46A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.9mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

36W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Bredde

3.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. Den er særdeles velegnet til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhederne lav gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Blyfri forgyldning

Relaterede links