Infineon N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 218-2986
Producentens varenummer:: BSZ099N06LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 88,72

(ekskl. moms)

Kr. 110,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 15. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 4,436	Kr. 88,72

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-2986
Producentens varenummer:: BSZ099N06LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	46A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	TSDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	9.9mΩ
	Kanalform	N
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6.9nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	36W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	3.4mm
	Højde	1.1mm
	Bredde	3.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype TSDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 9.9mΩ
	Kanalform N
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.9nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 36W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 3.4mm
	Højde 1.1mm
	Bredde 3.4mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ099N06LS5ATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 46 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ099N06LS5ATMA1

Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til N-kanal-anvendelser med høj strømstyrke i kompakte overflademonterede enheder, der fungerer over et bredt temperaturområde og giver kontrolleret gate-drive-adfærd til hurtige skifteopgaver.

Egenskaber og fordele:

• 60 V mærkeværdi for afløb muliggør mellemspændingskontaktfunktion
• 46 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høj strømforsyning
• 9.9 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab ved nominel strøm
• 36 W maks. tab muliggør betydelig effekthåndtering
• 6,9 nC typisk gate-ladning reducerer behovet for koblingsenergi
• 20 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere i kompakte strømforsyninger
• Ideel til synkrone ensretningstrin med høj strømstyrke
• Anvendes til koblingselementer med halvbro til motordrev
• Kan bruges til strømstyring i industriel elektronik
• Velegnet til overflademonterede enheder, der kræver små fodaftryk

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?

Den leveres i en TSDSON-pakke, der er designet til overflademontering.

Hvilken termisk ydeevne forventes over hele driftsområdet?

Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør anvendelse i miljøer med bredt temperaturområde.

Hvordan påvirker gate-ladning koblingens ydeevne?

En typisk gate-ladning på 6,9 nC reducerer drevenergien og understøtter hurtigere overgange.

Hvilken gate-source-spænding skal overholdes for sikker drift?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå skader på enheden.

Hvad er enhedskanalkonfigurationen?

Enheden bruger en N-type kanal i forstærkning til standard MOSFET-switching.