Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 11.925,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.905,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 20.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,385Kr. 11.925,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-2983
Producentens varenummer:
BSZ0589NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS 5

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.4mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.1W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanal Power MOSFET. Denne MOSFET er optimeret til trådløs oplader med høj ydeevne.

Lav FOMSW til højfrekvent SMPS

Meget lav modstand ved ON-modstand RDS(ON) ved VGS = 4,5 V.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Relaterede links