Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 120,96

(ekskl. moms)

Kr. 151,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.920 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 8,064Kr. 120,96
75 - 135Kr. 7,665Kr. 114,98
150 - 360Kr. 7,335Kr. 110,03
375 - 735Kr. 7,016Kr. 105,24
750 +Kr. 6,527Kr. 97,91

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-8986
Producentens varenummer:
BSZ025N04LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

126A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.2mm

Bredde

6.1 mm

Længde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 40 V og 60 V produktfamilier har ikke kun branchens laveste R DS (til), men også en perfekt kontaktfunktion til hurtigt skiftende anvendelser. 15 % lavere R DS (on) og 31 % lavere antal fortjeneste (R DS (on) x Q g) sammenlignet med alternative enheder er blevet realiseret ved Advanced thin wafer-teknologi. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Optimeret til synkron ensretning

Relaterede links