Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS Nej BSZ025N04LSATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 120,96

(ekskl. moms)

Kr. 151,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 8,064Kr. 120,96
75 - 135Kr. 7,665Kr. 114,98
150 - 360Kr. 7,335Kr. 110,03
375 - 735Kr. 7,016Kr. 105,24
750 +Kr. 6,527Kr. 97,91

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-8986
Producentens varenummer:
BSZ025N04LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

126A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.2mm

Bredde

6.1 mm

Længde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 40 V og 60 V produktfamilier har ikke kun branchens laveste R DS (til), men også en perfekt kontaktfunktion til hurtigt skiftende anvendelser. 15 % lavere R DS (on) og 31 % lavere antal fortjeneste (R DS (on) x Q g) sammenlignet med alternative enheder er blevet realiseret ved Advanced thin wafer-teknologi. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Optimeret til synkron ensretning

Relaterede links