Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 214-8986
- Producentens varenummer:
- BSZ025N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 140,625
(ekskl. moms)
Kr. 175,785
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 9,375 | Kr. 140,63 |
| 75 - 135 | Kr. 8,911 | Kr. 133,67 |
| 150 - 360 | Kr. 8,532 | Kr. 127,98 |
| 375 - 735 | Kr. 8,158 | Kr. 122,37 |
| 750 + | Kr. 7,595 | Kr. 113,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8986
- Producentens varenummer:
- BSZ025N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 126A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.35mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 126A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.35mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 40 V og 60 V produktfamilier har ikke kun branchens laveste R DS (til), men også en perfekt kontaktfunktion til hurtigt skiftende anvendelser. 15 % lavere R DS (on) og 31 % lavere antal fortjeneste (R DS (on) x Q g) sammenlignet med alternative enheder er blevet realiseret ved Advanced thin wafer-teknologi. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet.
100 % avalanche-testet
Fremragende termisk modstand
Optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 126 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 10.9 A 250 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 176 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3