Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 77,12

(ekskl. moms)

Kr. 96,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 60 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 7,712Kr. 77,12
50 - 90Kr. 7,323Kr. 73,23
100 - 240Kr. 7,016Kr. 70,16
250 - 490Kr. 6,702Kr. 67,02
500 +Kr. 6,246Kr. 62,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-8984
Producentens varenummer:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

176A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

OptiMOS 5

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.45mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.1 mm

Højde

1.2mm

Længde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. Infineon tilbyder benchmarkløsninger med OptiMOS-5 25V og 30V produktserien, da den giver den højeste effekttæthed og energieffektivitet, både i standby og fuld drift. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Monolitisk integreret Schottky-lignende diode

100 % avalanche-testet

Relaterede links