Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5 Nej BSZ014NE2LS5IFATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 44,30

(ekskl. moms)

Kr. 55,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 70 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 4,43Kr. 44,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-8984
Producentens varenummer:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

176A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.45mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

0.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.2mm

Længde

5.35mm

Bredde

6.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. Infineon tilbyder benchmarkløsninger med OptiMOS-5 25V og 30V produktserien, da den giver den højeste effekttæthed og energieffektivitet, både i standby og fuld drift. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Monolitisk integreret Schottky-lignende diode

100 % avalanche-testet

Relaterede links