Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS Nej BSZ100N06NSATMA1
- RS-varenummer:
- 220-7362
- Producentens varenummer:
- BSZ100N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 102,24
(ekskl. moms)
Kr. 127,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.360 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,112 | Kr. 102,24 |
| 100 - 180 | Kr. 4,859 | Kr. 97,18 |
| 200 - 480 | Kr. 4,649 | Kr. 92,98 |
| 500 - 980 | Kr. 4,447 | Kr. 88,94 |
| 1000 + | Kr. 4,14 | Kr. 82,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7362
- Producentens varenummer:
- BSZ100N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.2mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 60V er optimeret til synkron ensretning i switched Mode strømforsyninger (SMPS), som f.eks. dem, der findes i servere og stationære computere og tablet-lader. Derudover er disse enheder et perfekt valg til en lang række industrielle anvendelser, herunder motorstyring, solcelle-mikro-inverter og DC-DC-konverter med hurtigt skift.
Optimeret til synkron ensretning
40 % lavere R DS (til) end alternative enheder
40 % forbedring af FOM i forhold til lignende enheder
Overholder RoHS - halogenfri
MSL1-normeret
Højeste systemeffektivitet
Mindre parallelisering nødvendig
Forøget effekttæthed
Systemomkostningsbesparelse
Meget lav udgangsspændingsoversving
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS AEC-Q101 IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3 Nej BSZ068N06NSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3 Nej BSZ067N06LS3GATMA1
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3 Nej BSZ110N06NS3GATMA1