Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 220-7362
- Producentens varenummer:
- BSZ100N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, i en pakke med 20)*
Kr. 143,54
(ekskl. moms)
Kr. 179,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 7,177 | Kr. 143,54 |
| 100 - 180 | Kr. 6,815 | Kr. 136,30 |
| 200 - 480 | Kr. 6,534 | Kr. 130,68 |
| 500 - 980 | Kr. 6,246 | Kr. 124,92 |
| 1000 + | Kr. 5,812 | Kr. 116,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7362
- Producentens varenummer:
- BSZ100N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET og diode, 60 V maksimal drain source-spænding, 40 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ100N06NSATMA1
Denne MOSFET- og diodekomponent er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er beregnet til strømkontaktanvendelser, der kræver lave ledningstab og integreret diodeydeevne. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til konstruktioner, der kræver betydelig kontinuerlig strømhåndtering, mens den er monteret i et kompakt TSDSON-hus.
Egenskaber og fordele:
• 60 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching-anvendelser
• 1 mΩ maks. RDS(on) minimerer ledningstab under belastning
• 40 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter højstrømsstrømstrin
• 12 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret skifteadfærd
• 36 W maks. effekttab opretholder termisk belastning i kort tid
• 20 V gate-source-grænse giver hovedplads til drevkredsløb
• 1 mΩ maks. RDS(on) minimerer ledningstab under belastning
• 40 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter højstrømsstrømstrin
• 12 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret skifteadfærd
• 36 W maks. effekttab opretholder termisk belastning i kort tid
• 20 V gate-source-grænse giver hovedplads til drevkredsløb
Anvendelser
• Velegnet til synkron ensretning i strømomformere
• Ideel til omskiftning af DC-DC-konverterens udgangstrin
• Anvendes sammen med motordrevne halvbroer, der kræver høj strøm
• Kan bruges til batteristyring og belastningsswitching
• Anvendes til belastningspunktregulering i kompakte systemer
• Ideel til omskiftning af DC-DC-konverterens udgangstrin
• Anvendes sammen med motordrevne halvbroer, der kræver høj strøm
• Kan bruges til batteristyring og belastningsswitching
• Anvendes til belastningspunktregulering i kompakte systemer
Hvilket temperaturområde kan den tolerere i drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C.
Hvilken monteringsmetode kræves der til montering?
Den er beregnet til overflademontering i en TSDSON-pakke.
Hvor mange tilslutningsben er tilgængelige til printkortlayout?
Enheden bruger otte ben til elektriske og mekaniske forbindelser.
Hvilken kanalledningstype anvender den?
Det er en N-kanal-enhed med forstærkning.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 40 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 126 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
