Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- RS-varenummer:
- 222-4629
- Producentens varenummer:
- BSZ068N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 89,835
(ekskl. moms)
Kr. 112,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.815 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 5,989 | Kr. 89,84 |
| 75 - 135 | Kr. 5,69 | Kr. 85,35 |
| 150 - 360 | Kr. 5,451 | Kr. 81,77 |
| 375 - 735 | Kr. 5,211 | Kr. 78,17 |
| 750 + | Kr. 4,852 | Kr. 72,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4629
- Producentens varenummer:
- BSZ068N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.35mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.35mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 114 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 126 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS