Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3 Nej BSZ068N06NSATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 106,005

(ekskl. moms)

Kr. 132,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.815 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 7,067Kr. 106,01
75 - 135Kr. 6,717Kr. 100,76
150 - 360Kr. 6,438Kr. 96,57
375 - 735Kr. 6,153Kr. 92,30
750 +Kr. 5,725Kr. 85,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4629
Producentens varenummer:
BSZ068N06NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS-TM3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Effektafsættelse maks. Pd

46W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.2mm

Længde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS

Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23

Relaterede links