Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 76,215

(ekskl. moms)

Kr. 95,265

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 16.815 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 5,081Kr. 76,22
75 - 135Kr. 4,827Kr. 72,41
150 - 360Kr. 4,627Kr. 69,41
375 - 735Kr. 4,423Kr. 66,35
750 +Kr. 4,119Kr. 61,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4627
Producentens varenummer:
BSZ028N04LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

114A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS-TM3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Effektafsættelse maks. Pd

63W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.2mm

Længde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS

Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.