Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3 Nej BSZ028N04LSATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 99,93

(ekskl. moms)

Kr. 124,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 16.815 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 6,662Kr. 99,93
75 - 135Kr. 6,328Kr. 94,92
150 - 360Kr. 6,064Kr. 90,96
375 - 735Kr. 5,805Kr. 87,08
750 +Kr. 5,395Kr. 80,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4627
Producentens varenummer:
BSZ028N04LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

114A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS-TM3

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

63W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.35mm

Højde

1.2mm

Bredde

6.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS

Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23

Relaterede links