Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 827-5296
Producentens varenummer:: BSZ060NE2LSATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

Indhold (25 enheder, i en pakke med 25)*

Kr. 68,58

(ekskl. moms)

Kr. 85,73

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

24.825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 2,743	Kr. 68,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-5296
Producentens varenummer:: BSZ060NE2LSATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	25V
	Emballagetype	TSDSON
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	8.1mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd	26W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	9.1nC
	Gennemgangsspænding Vf	0.87V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.4mm
	Højde	1.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	3.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 25V
	Emballagetype TSDSON
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 8.1mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd 26W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC
	Gennemgangsspænding Vf 0.87V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.4mm
	Højde 1.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 3.4mm
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 25 V maksimal drain source-spænding, 40 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ060NE2LSATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til effektomskiftning og styring i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser med høj strømstyrke, hvor lave ledningstab og effektiv omskiftning er påkrævet. Enheden leveres i en 8-benet TSDSON-pakke, der er velegnet til tætte samlinger og termisk routing på printkortlayouts.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 8,1 mΩ reducerer ledningstab
• Kontinuerlig mærkestrøm på 40 A understøtter høje strømbelastninger
• Maksimalt effekttab på 26 W muliggør betydelig varmehåndtering
• Typisk gate-ladning på 9,1 nC muliggør effektiv omskiftning
• Fremadgående spænding på 0,87 V minimerer spændingsfald under belastning
• Gate-source spændingstolerance op til 20 V giver fleksible drevmargener

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformereffekttrin
• Ideel til DC/DC-regulatormoduler med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med server- og telekommunikationsstrømfordelingssystemer
• Kan bruges til batteristyring og opladningskredsløb
• Velegnet til motorstyre-for-driver-trin

Hvilket termisk område kan jeg forvente ved implementering?

Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor temperaturvariation.

Hvordan hjælper pakken PCB-integration?

TSDSON-formfaktoren giver et lavprofils, overflademonteret fodaftryk, der letter tæt placering af komponenter og direkte termisk ledning til printkobber.

Hvilke hensyn skal der tages til gate-driver?

Transistoren understøtter gate-source-spændinger op til 20 V

brug gate-drivere, der forbliver inden for denne grænse, mens de leverer tilstrækkelig opladning til hurtig omskiftning.

Hvor mange ben er tilgængelige til layoutformål?

Der er otte ben, der muliggør flere forbindelser til drain-, source- og gate-routing for at optimere strømbaner og termisk ydeevne.