Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5 Nej

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 24.640,00

(ekskl. moms)

Kr. 30.800,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 4,928Kr. 24.640,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-8983
Producentens varenummer:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

176A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.45mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Gennemgangsspænding Vf

0.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.2mm

Bredde

6.1 mm

Længde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. Infineon tilbyder benchmarkløsninger med OptiMOS-5 25V og 30V produktserien, da den giver den højeste effekttæthed og energieffektivitet, både i standby og fuld drift. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Monolitisk integreret Schottky-lignende diode

100 % avalanche-testet

Relaterede links