Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5 Nej
- RS-varenummer:
- 214-8983
- Producentens varenummer:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 24.640,00
(ekskl. moms)
Kr. 30.800,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 4,928 | Kr. 24.640,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8983
- Producentens varenummer:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 176A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 176A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.2mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. Infineon tilbyder benchmarkløsninger med OptiMOS-5 25V og 30V produktserien, da den giver den højeste effekttæthed og energieffektivitet, både i standby og fuld drift. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Monolitisk integreret Schottky-lignende diode
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 176 A 25 V TSDSON-8 FL, OptiMOS™ 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Infineon N-Kanal 63 A 60 V TSDSON-8 FL, OptiMOS™ BSZ068N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 126 A. 40 V TSDSON-8 FL, OptiMOS™ BSZ025N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 114 A 40 V TSDSON-8 FL, OptiMOS™ BSZ028N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 17 A 30 V TSDSON-8 FL, OptiMOS™ 5 BSZ0589NSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V TSDSON, OptiMOS™ BSZ0904NSIATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V TSDSON, OptiMOS™ BSC009NE2LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 25 V TSDSON, OptiMOS™ BSZ060NE2LSATMA1
