Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS Nej

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 12.295,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.370,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,459Kr. 12.295,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-2985
Producentens varenummer:
BSZ099N06LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

46A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TSDSON

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.9mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

36W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.4 mm

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. Den er særdeles velegnet til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhederne lav gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab.

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

Blyfri forgyldning

Relaterede links