Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 218-2985
- Producentens varenummer:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 12.295,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.370,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 2,459 | Kr. 12.295,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2985
- Producentens varenummer:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.9mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.9mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™-seriens N-kanal MOSFET. Den er særdeles velegnet til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhederne lav gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab.
100 % avalanche-testet
Fremragende termisk modstand
Blyfri forgyldning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 46 A 60 V N TSDSON, OptiMOS Nej BSZ099N06LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 63 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3 Nej BSZ068N06NSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3 Nej BSZ067N06LS3GATMA1
- Infineon Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3 Nej BSZ110N06NS3GATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS Nej BSZ100N06NSATMA1
